檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "快閃記憶體轉換層".ckeyword (精準) and year="109"
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快閃記憶體(NAND Flash)擁有體積小、功耗低、抗震、存取速度快等優勢,但快閃記憶體仍會面臨資料的「異地更新」、「垃圾收集」和「不平衡的執行時間」等硬體上的限制。一般而言,在有限的DRAM空間…
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為了增加MLC flash memory的整體效能,會把SSD 中一部分的MLC block 轉換成pseudo SLC block,能讓這些block 能夠有一般SLC block的效能,因為此時…
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None
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干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加,氧化層變薄。 因此,存儲在電池中的電荷變得更容易丟失,這將導致Vth發生負向偏移。 同時,由於FN隧道…